收藏本站
DMN6040SFDE
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
Single Pulse
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 61°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 13 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
D
A1
A3
Dim
A
A1
A3
b
b1
D
U-DFN2020-6
Type E
Min
Max Typ
0.57
0.63 0.60
0 0.05 0.03
— — 0.15
0.25
0.35 0.30
0.185
0.285 0.235
1.95
2.05 2.00
E E2
D2
L1
b1
K1
L(2X)
D2
E
E2
e
L
0.85 1.05 0.95
1.95 2.05 2.00
1.40 1.60 1.50
— — 0.65
0.25 0.35 0.30
L1
0.82 0.92 0.87
K2
K1
K2
Z
— — 0.305
— — 0.225
— — 0.20
Z(4X)
DMN6040SFDE
D atasheet number: DS35792 Rev. 8 - 2
e
b(6X)
5 of 6
www.diodes.com
All Dimensions in mm
August 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
DMN6040SSD-13 MOSFET N CH 60V 5A SO-8
DMN6040SSS-13 MOSFET N CH 60V 5.5A SO-8
DMN6040SVT-7 MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
DMN6066SSD-13 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8
DMN6066SSS-13 MOSFET N-CH 60V 3.7A SO8
DMN6068LK3-13 MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
DMN6068SE-13 MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
DMN62D0LFB-7B MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN
相关代理商/技术参数
DMN6040SK3-13 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R 2.5K - Tape and Reel 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N CH 60V 20A TO252 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N-channel 60V 20A TO-252 D2PAK
DMN6040SSD-13 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6040SSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6040SVT-7 功能描述:MOSFET 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6066SSD 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN6066SSD-13 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN6066SSS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN6066SSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube